Сканирующая электронная микроскопия структур микро- и наноэлектроники

Руководитель - Рау Эдуард Иванович

к. 1-57а, тел. 8(495)939-38-95; к. 1-70, тел. 8(495)939-54-33

Сканирующая электронная микроскопия

Растровая (сканирующая) электронная микроскопия является мощным инструментом исследований широкого круга материалов, и приборных структур микро- и наноэлектроники. В лаборатории имеются растровые электронные микроскопы, производства фирмы «Carl Zeiss» Германия и «Jeol» Япония, измерительное, аналитическое оборудование.

Сотрудниками научной группы разработаны уникальные методы исследований микрообъектов в растровом электронном микроскопе, позволяющие получать не только информацию о поверхности образца, но и заглянуть внутрь объекта без его разрушения. Ведутся разработки новых электронно-зондовых методов диагностики полупроводниковых материалов и приборов микроэлектроники, микромеханики, наносенсорики и наноэлектроники.

Сканирующая электронная микроскопия Сканирующая электронная микроскопия

Разрабатываются оригинальные методы нанотомографии и аппаратура для измерений геометрических параметров и топологии наноструктур скрытых под поверхностью, с помощью регистрации и анализа энергии отраженных электронов в РЭМ. Создаются методики и средств контроля размеров и химического состава нанообъектов, пригодных для аттестации в нанотехнологии и наноиндустрии, включая метод измерения глубин залегания и толщин подповерхностных композиционных деталей исследуемых наноструктур.

Проводится большой объем как фундаментальных, так и прикладных научных исследований новых материалов, структур, приборов и объектов, созданных по нанотехнологии. Совершенствуются разработанные в лаборатории методы диагностики и мониторинг распределения легирующих примесей в полупроводниковых кристаллах в диапазоне концентраций от 1016 до 1020 см-3. Ведется фундаментальное исследование процессов, происходящих на поверхности диэлектриков, сегнетоэлектриков и широкозонных полупроводников при облучении электронными пучками средний энергий (от 0,1 кэВ до 30 кэВ).

Сканирующая электронная микроскопия Сканирующая электронная микроскопия

Разрабатываются новые бесконтактные неразрушающие методы диагностики многослойных микроструктур, определения основных электрофизических параметров полупроводниковых кристаллов. Создан уникальный тороидальный спектрометр (дополнительная приставка к сканирующему электронному микроскопу), с помощью осуществляется неразрушающая диагностика трехмерных микроструктур методом томографии в отраженных электронах, а также аналитическая спектроскопия во вторичных электронах.

Применение спектроскопии вторичных электронов с использованием энергетической фильтрации позволило проводить высокочувствительный мониторинг локального распределения имплантированных примесей в полупроводниковых кристаллах. Электронная спектроскопия используется также для определения кинетики зарядки массивных и пленочных диэлектриков под воздействием электронного облучения в широком диапазоне энергий, а также для определения рекомендуемых параметров электронного зонда при литографии.

Коллектив лаборатории
Рау Эдуард Иванович д.ф.-м.н., г.н.с.
Зыкова Екатерина Юрьевна к.ф.-м.н., ст.преп.
Зайцев Сергей Владимирович к.ф.-м.н., с.н.с.
Татаринцев Андрей Андреевич к.ф.-м.н., с.н.с.
Хайдаров Абдусамеъ Аббосович к.ф.-м.н., н.с.
Иваненко Илья Петрович м.н.с.
Лукьянов Альберт Евдокимович к.ф.-м.н., ведущий инженер
Зотин Кирилл Владимирович магистр
Мухин Владислав Алексеевич магистр
Мхитарян Ваагн Миясникович магистр
Подбуцкий Николай Георгиевич магистр

Сайт лаборатории